冷軋壓下率對無抑制劑取向硅鋼初次再結(jié)晶退火的影響

  取向硅鋼的制備過程需要經(jīng)過冷變形加工和再結(jié)晶退火處理,大壓下率冷軋將使取向硅鋼內(nèi)部的位錯密度升高,高位錯密度所帶來的位錯能儲存在變形基體內(nèi),在后續(xù)的退火過程中鋼板內(nèi)部組織會發(fā)生根本的轉(zhuǎn)變,發(fā)生再結(jié)晶。冷軋的壓下率不同則位錯密度不同,冷軋后儲存的位錯能也會存在差異,從而對再結(jié)晶過程的驅(qū)動作用也會不同。

  科研工作者對無抑制劑取向硅鋼不同壓下率下初次再結(jié)晶退火后的顯微組織、宏觀織構(gòu)和微觀織構(gòu)進行了研究。結(jié)果表明,冷軋板織構(gòu)主要為α取向線{001}<110>、{112}<110>和{111}<110>織構(gòu)以及γ取向線{111}<110>織構(gòu)。初次再結(jié)晶退火后,α取向線織構(gòu)減弱,織構(gòu)主要為γ取向線{111}<112>織構(gòu)。隨冷軋壓下率的增加,冷軋和初次再結(jié)晶織構(gòu)強度增加。當壓下率為88%時,初次再結(jié)晶退火后Goss織構(gòu)和{111}<112>織構(gòu)強度最高,最有利于發(fā)生二次再結(jié)晶。

  EBSD分析顯示,Goss取向晶粒大多與{111}<112>取向晶粒相鄰。提高冷軋壓下率,Goss取向晶粒和{111}<112>取向晶粒都增加,Goss取向晶粒偏離理想取向角度減少。